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专利名称：形成平坦内金属介电层的方法专利类型：发明专利发明人：罗吉进
申请号：CN98116059.X申请日：19980715公开号：CN1236978A公开日：19991201
摘要：一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层的方法包括:在导电金属结构上形成衬氧化层;低介电材料层;未固化低介电材料层;未固化硅氧烷层;在未固化硅氧烷层与未固化低介电材料层上实施CMP,CMP停止于固化低介电材料层的表面,因此在导电金属结构的间隔中残留部分未固化低介电材料层;将未固化低介电材料层的残留部分固化;以及在固化低介电材料层与固化后的残留部分上方形成帽盖氧化层。
申请人：世大积体电路股份有限公司
地址：省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：柳沈知识产权律师事务所
代理人：陶凤波
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