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专利名称：通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法专利类型：发明专利
发明人：瑞维克·巴哈迪亚,夏立群,查德·彼得森,海彻姆·马萨
德
申请号：CN200710126049.1申请日：20070629公开号：CN101097853A公开日：20080102
摘要：本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：赵飞
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