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专利名称：超结MOS管的制造方法专利类型：发明专利发明人：张栋
申请号：CN201611070751.6申请日：20161129公开号：CN106531634A公开日：20170322
摘要：本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。
申请人：上海先进半导造股份有限公司
地址：200233 上海市徐汇区虹漕路385号
国籍：CN
代理机构：上海弼兴律师事务所
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