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 关键词 光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源

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光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。 

1 光耦合器的类型及性能特点

1.1 光耦合器的类型

 光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。

1.2 光耦合器的性能特点

 光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离 、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。

 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。其公式为：

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线，分别如图2中的虚线和实线所示。

由图2可见，普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

2 线性光耦合器的产品分类及选取原则

2.1 线性光耦合器的产品分类

 线性光耦合器的典型产品及主要参数见表1，这些光耦均以光敏三极管作为接收管。

2.2 线性光耦合器的选取原则

 在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：  ①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR＜50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF＞5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。

 ②推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。

 ③由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，因此不推荐用在开关电源中。

3 线性光耦合器应用举例

多路输出式电源变换器电路如图3所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输出分别为：UO1＝＋5V(2A)，UO2＝＋15V(0.17A)，UO3＝－15V(0.17A)。现将UO1定为主输出，其电压调整率SV＝±0.4%；UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%～80%。电路中采用一片TOP104Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后，得到＋5V电压。VD2采用MBR735型35V／7.5A肖特基二极管。两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V／1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对＋5V电压进行精密调整。反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后，得到12V反馈电压。由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。

 外部误差放大器由TL431C组成。当+5V输出电压升高时，经R3、R4分压后得到的取样电压，就与TL431C中的2.5V带隙基准电压进行比较，使其阴极电位降低，LED的工作电流IF增大，再通过线性光耦IC2（CNY17-2）使控制端电流IC增大，TOP104Y的输出占空比减小，使UO1维持不变，达到稳压目的。+5V稳压值UO1则由TL431C、光耦中的LED正向压降来设定。R1是LED的限流电阻。误差放大器的频率响应由C5、R2和C6来决定。C5的作用有三个：滤除控制端上的尖峰电压；决定自动重启动频率；与R2一起对控制回路进行补偿。

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等

电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值） 经常转移的比例： 50 ％（最小） 隔离电压： 2500 Vrms （最小）

图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图

图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图

Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)

Rating 数值 Characteristic 数 参TLP521Symbol 符号 TLP521−1 −2 TLP521−4 Forward current 正向电流 LEForward current derating 正向电ΔIF/℃ 流减率 forward −0.93(Ta≥50℃) 1 (100μ pulse, 100pps) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃ IF 70 50 mA Unit 单位 D Pulse current 瞬间正IFP 向脉冲电流 A Reverse voltage 反向电压 Junction VR 5 V temperature 结Tj 温 Collector−emitter voltage 集电极VCEO 发射极电压 Emitter−collector voltage 发射极VECO 集电极电压 接Collector current 集电极电流 收Collector power dissipation (1 PC IC 125 ℃ 55 V 7 V 50 mA 侧circuit) 集电极功耗 Collector power dissipation derating 150 100 mW (1 ΔPC/℃ −1.5 −1.0 mW/℃ circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率 Junction temperature 结Tj 温 Storage temperature range Tstg 储存温度范围 Operating temperature range Topr 工作温度范围 Lead soldering 260 (10 s) ℃ −55~100 ℃ −55~125 ℃ 125 ℃ temperature 无铅Tsol 焊接温度 Total package power dissipationPT 整体功耗 Total package ΔPT/℃ 250 150 mW power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率 Isolation voltage 隔离电压

−2.5 −1.5 mW/℃ BVS 2500(AC,1Min Vrm最小, R.H.≤60%) s

注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

Recommended Operating Conditions建议操作条件

TMyaUnit MCharacteristic 参数 Symbol 符号 in 最p x 典最单小 型 大 位 Supply voltage 电源电压 VCC ― 5 124 2V mA mA Forward current 正向电流 IF ― 6 5 10 8― Collector current 集电极电流 IC ― 1 −Operating temperature 操作温度

Topr 25 ℃ 5

Current Transfer Ratio Classi− ficatio型号 n (*1)分级标25℃ 准 最小 最大 Blank, Y, Y■, G, G■, B, B■, GB Y, Y■ (%)(IC/IF) 经常转移率 (%)(IC/IF) IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = Marking Of Classification 标志的分类 A 50 600 Rank Y 50 Rank GR Rank BL Rank GB TLPA 150 TLP521 100 300 G, G■ 200 600 B, B■ 100 600 G, G■, B, B■, GB 50 600 600 Blank, GR, BL, GB GR, BL, GB 521Rank 100 −2 TLP521−4

GB

*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)

(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.

TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2

Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数 (Ta = 25℃)

Test Characteristic 参数 Symbol Conditio符号 n 测试条件 MTMiyaUnit 单n p x 最典最小 型 大 位 Forward voltage 正向电压 LED Reverse current 反向电流 VF IF 10mA = 1.0 1.15 1.3 1μ0 A p— F V IR VR = 5V V=0, =1MHz IC 0.5mA f — — 3— 0 Capacitance 电容 Collector−emitter breakdown voltage 集电极发射极击穿电压 Emitter−collector breakdown voltage 发射接极集电极击穿电压 收CT V(BR) CEO = 55 — — V V(BR) ECO IE 0.1mA = 7 — — V VCE 侧 Collector dark current 集电极暗电流 ICEO 24V = — 10 100 nA VCE=24V,Ta=85℃ Capacitance (collector to emitter) 电容（集电极到发CCE V =0, f — =1MHz 0 — 2 15μ0 A p— F 射极）

Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s (Ta = 25℃)

SymCharacteristic 参数 bol 符Test Condition 测试条件 MTiyMaUnn p x it 最典最单小 型 大 位 号 5Current transfer ratio 经常转移的比率 IC/IF 0 IF=5mA, VCE 1=5V Rank GB 6— 00 6% 0— 00 IC— /ISaturated CTR 饱和率 F (satIF=1mA, VCE=0.4V Rank GB 3— — 0 0 % 6— 0 ) IC = 2.4 mA, IF VCollector−emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压 CE (sat) IC=0.2mA, IF=1mA GB — — Rank = 8 mA — — 0— .2 0.4 — V 0.4 Isolation Characteristic 耦合电气特性参数 (Ta = 25℃)

SymCharacteristic 参数 bol 符号 Test Condition 测试条件 Min 最小 TyMUanip x t 典最单型 大 位 Capacitance(input to CS VS = 0, f = 1 MHz 0— .8 — pF output)电容（输入输出） 1Isolation resistance 隔R离电阻 S VS = 500 V, — R.H.≤ 60% 011 — Ω 2AC, 1 Min 最小5ute 00 BV压 S 5AC, 1 second, in — oil 00 5DC, 1 Min 最小— ute, in oil 00 Switching Characteristic 开关特性参数 (Ta = 25℃)

— — Vrms — Isolation voltage 隔离电00— Vdc

MiTyMaUnCharacteristic 参数 Symbol Test Condition 测试条符号 件 n p 最典x it 最单小 型 大 位 Rise time 上升时间 Fall time下降时tr — 2 — tf 间 Turn−on time 开启时间 Turn−off time 关toff 断时间 Turn−on time 开启时间 Storage time 存ts 储时间 Turn−off time 关断时间

tOFF tON ton VCC=10V RL=100Ω IC=2mA — 3 — μs — 3 — — 3 — — 2 — RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V, IF = 16mA — 15 — μs — 25 —

图3 TLP521-1 封装图 图4 TLP521-2 封装图

图5 TLP521-4 封装图

图6 开关时间测试电路