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专利名称：防止漏电流结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：谢炎璋
申请号：CN201210239297.8申请日：20120710公开号：CN103545407A公开日：20140129
摘要：提供了一种防止漏电流结构及其制造方法。一种防止漏电流结构，包括：一基板；在所述基板上的一第一III-V族化合物层；在所述第一III-V族化合物层上的一第二III-V族化合物层；以及在所述第二III-V族化合物层上的至少一半导体组件；其中所述第一III-V族化合物层与所述第二III-V族化合物层接触，共同形成一高阻值层，以防止所述至少一半导体组件所产生的漏电流流至所述基板。
申请人：华夏光股份有限公司
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国籍：KY
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