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专利名称：一种新型含硅负极及锂离子电池专利类型：发明专利
发明人：郭彬林,王慧敏,陆佳婷,许梦清申请号：CN202111456935.7申请日：20211201公开号：CN1143730A公开日：20220419
摘要：本发明适用于硅碳负极技术领域，提供了一种新型含硅负极，所述负极包括：第一低硅层；高硅层；第二低硅层；以及负极活性物质；本发明提出的非均质夹层电极避免了硅颗粒膨胀与收缩对电极产生的负面作用，第二低硅层增加了活性物质与集流体之间的接触位点同时提高了压实密度进而增强了活性材料层与集流体之间的电子传导性能，高硅层为硅颗粒的体积膨胀提供了缓冲空间同时提高了极片的电解液保有量，第一低硅层有利于缓解过渡金属离子向极片内部的扩散，减轻其对于SEI膜持续增厚的促进作用；其较低的硅含量占比同样降低了膨胀效应对电极外层结构与SEI膜的破坏，减轻了电解液与过渡金属离子副反应所诱发的容量衰减。
申请人：万向一二三股份公司
地址：311215 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设二路855号
国籍：CN
代理机构：浙江英普律师事务所
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