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专利名称：硅晶片专利类型：发明专利发明人：仙田刚士,泉妻宏治申请号：CN201480066934.3申请日：20141216公开号：CN105814245A公开日：20160727
摘要：本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。
申请人：环球晶圆日本股份有限公司
地址：日本新潟县
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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