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专利名称：硅晶片专利类型：发明专利发明人：小野敏昭,高奉均申请号：CN201880046219.1申请日：20180606公开号：CN1111240A公开日：20200515
摘要：本发明提供一种能够减少器件工序中产生的晶片的弯曲且能够没有问题地实施晶片大幅弯曲而产生异常的后续工序的硅晶片。基于本发明的硅晶片，其在器件工序中在一侧的主表面形成有构成半导体器件层的多层膜，因基于所述多层膜的各向同性的膜应力而弯曲成碗型，其中，所述硅晶片的面取向为（111）。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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