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多孔表面和半导体表面的清洗方法

来源:步遥情感网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN97105404.5 (22)申请日 1997.05.28 (71)申请人 佳能株式会社

地址 日本东京

(10)申请公布号 CN1166693A (43)申请公布日 1997.12.03

(72)发明人 藤山靖朋;云见日出也

(74)专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人 王以平

(51)Int.CI

H01L21/302; H01L21/306; B28D7/02;

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

多孔表面和半导体表面的清洗方法

(57)摘要

所提供的是一种多孔半导体衬底的恰当清

洗方法,它不会出现由空化或共振造成的多孔结构瓦解。在至少表面内带有多孔结构的半导体衬底的多孔表面的清洗方法中,用来清除附着于衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗,用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进

行。

法律状态

法律状态公告日

1997-11-12 1997-12-03 2003-12-24 2016-07-20

法律状态信息

实质审查请求的生效

公开 授权 专利权的终止

法律状态

实质审查请求的生效

公开 授权

专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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