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专利名称：一种MEMS结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：刘端
申请号：CN201911099149.9申请日：20191112公开号：CN110798788A公开日：20200214
摘要：本申请公开了一种MEMS结构的形成方法，包括：在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱，并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐；在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层；去除所述第一牺牲层形成空腔。该MEMS结构采用支柱支撑压电复合振动层，从而有利于提高MEMS结构的灵敏度。
申请人：安徽奥飞声学科技有限公司
地址：230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室
国籍：CN
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