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专利名称：场效应晶体管专利类型：发明专利
发明人：安藤裕二,宫本广信,中山达峰,冈本康宏,井上隆,村濑
康裕,大田一树,分岛彰男,黑田尚孝
申请号：CN200780012035.5申请日：20070329公开号：CN101416290A公开日：20090422
摘要：公开了一种HJFET 110，其包括：由InGaN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlGaN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×10x＜N×η×t[cm]＜5.6×10x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，N表示杂质浓度，以及η表示活化比率。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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