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专利名称：通孔及通孔形成方法专利类型：发明专利发明人：陈国海,苏娜,聂佳相申请号：CN200710094495.9申请日：20071213公开号：CN101459121A公开日：20090617
摘要：一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成介质层；图形化所述介质层，以形成接触孔；形成覆盖所述接触孔的粘接金属层和第一合金层；在所述第一合金层上形成第二合金层，所述第二合金层中的碳、氧含量高于所述第一合金层中的碳、氧含量；形成覆盖所述第二合金层并填充所述接触孔的连接金属层，形成通孔。可减小形成的通孔中产生孔洞的可能性。还提供了一种通孔，形成所述通孔时可减小产生孔洞的可能性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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