半导体硅片清洗液及生产方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610526209.0 （22）申请日 2016.07.06

（71）申请人 三达奥克化学股份有限公司

地址 116023 辽宁省大连市高新技术产业园区学子街99号

（10）申请公布号 CN106190615A

（43）申请公布日 2016.12.07

（72）发明人 杨同勇;李文瀚

（74）专利代理机构 大连非凡专利事务所

代理人 闪红霞

（51）Int.CI

C11D1/72; C11D3/60; C11D3/48; C11D3/34; C11D3/33; C11D3/20; C11D3/04;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体硅片清洗液及生产方法

（57）摘要

本发明公开一种清洗彻底且效率高的半导

体硅片清洗液及生产方法，由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。生产方法是A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，继续搅拌20分钟。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2016-12-07 公开 2016-12-07 公开

2017-01-04 实质审查的生效 2017-01-04 实质审查的生效

2019-08-23

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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