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专利名称：一种氧化钴修饰碳纳米球电极材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：邹儒佳,师雨婷,胡俊青,张剑华,崔哲,徐超霆,何书昂,
唐蓉
申请号：CN201711065252.2申请日：20171102公开号：CN107946557A公开日：20180420
摘要：本发明涉及一种氧化钴修饰碳纳米球电极材料的制备方法，包括：以苯乙烯为单体乳液聚合得到PS微球乳液；分散在Tris缓冲液中，加入盐酸多巴胺水溶液，然后逐滴滴加钴源溶液搅拌均匀，进行反应，经抽滤得到黑色固体，再次分散在Tris缓冲液中，加入盐酸多巴胺水溶液搅拌均匀，再次进行反应，经抽滤，真空干燥得到PS@PDA；置于惰性气氛中煅烧，然后取出置于空气中煅烧，即得。本发明方法简单易行、安全环保、成本低，制得的氧化钴修饰碳纳米球可以作为负载硫S的导电框架，弥补单质硫在导电性差的缺陷，同时通过对多硫化物的吸附作用，可以减少硫在电解液中的溶解，在保证一定比容量的情况下具有良好的循环稳定性。
申请人：东华大学
地址：201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号
国籍：CN
代理机构：上海泰能知识产权代理事务所
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