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专利名称：高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：刘治国,朱俊申请号：CN03131920.3申请日：20030618公开号：CN1471137A公开日：20040128
摘要：木发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利事务所
代理人：阙如生
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