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专利名称：NMOS管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈品翰
申请号：CN201811267166.4申请日：20181029公开号：CN109524470A公开日：20190326
摘要：本发明公开了一种NMOS管，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在P阱表面形成有栅极结构；在栅极结构的两侧形成有凹槽；在凹槽中嵌入式外延层，嵌入式外延层包括：硅种子层，硅磷主体层，位于硅磷主体层和硅种子层之间的硅磷缓冲层，突出到凹槽顶部的硅盖帽层；硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，硅磷缓冲层具有磷轻掺杂的结构；磷轻掺杂的硅磷缓冲层用于减少嵌入式外延层的磷向周侧的P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的沟道的影响。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能改善器件的短沟道效应并从而改善器件的稳定度。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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