专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：图像传感器及其制作方法专利类型：发明专利发明人：胡杏,刘天建,贺吉伟申请号：CN201910824707.7申请日：20190902公开号：CN110556392A公开日：20191210
摘要：本发明提供的图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，在所述衬底中位于转移区的两侧分别设置有感光区和读取区；刻蚀去除部分厚度的所述转移区，使剩余的所述转移区在所述厚度方向上低于浅沟道隔离区；去除所述介质层；形成多晶硅层，所述多晶硅层填充于相邻的所述浅沟道隔离区之间。在传统的闪存工艺的基础上，刻蚀去除部分厚度的所述转移区，打通所述感光区到读取区的通道，不再被传统的闪存工艺浅沟道隔离断开，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，从而正确识别光信号强度。本发明提供的图像传感器，通过多晶硅层实现图像传感器中感光区的电荷向读取区的转移，提高了图像传感器的性能。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
更多信息请下载全文后查看
