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专利名称：等离子体处理装置和方法专利类型：发明专利
发明人：舆石公,日向邦彦,大谷龙二,松本直树,矢野大介,速水
利泰,杉本胜,小林典之,吉备和雄,大矢欣伸,山泽阳平,山崎广树,舆水地盐,齐藤昌司,岩田学,花冈秀敏,佐藤学
申请号：CN200710004237.7申请日：20050621公开号：CN1983518A公开日：20070620
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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