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专利名称：优质氧化锡的形成方法专利类型：发明专利发明人：李沅民,马昕
申请号：CN2007100049.3申请日：20070214公开号：CN1012444A公开日：20080820
摘要：本发明公开了一种优质氧化锡的形成方法。在使用大气压化学气相沉积法(APCVD)制作适用于薄膜太阳能电池的有纹理的低电阻，且高度透明的氧化锡薄膜时，首先在玻璃基板上沉积一个有纹理，但电阻率偏高的第一层氧化锡，然后在其上形成一个本身较平滑的，但导电率高的第二层氧化锡。相比于传统的一步连续形成的氧化锡，这种多步形成的氧化锡更容易满足高性能薄膜太阳能电池的各种需要。
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国籍：CN
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