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专利名称：高耐压半导体装置专利类型：发明专利发明人：山路将晴,澄田仁志申请号：CN2012800498.1申请日：20121113公开号：CN103875069A公开日：20140618
摘要：本发明中，形成耐压区域以包围逻辑电路形成区域，在该耐压区域的一部分上形成用于电平移位的高耐压MOSFET(71、72)，在该高耐压MOSFET(71、72)的漏极区域与逻辑电路形成区域之间形成p开口部区域(131)，在该p开口部区域(131)上配置与连接至逻辑电路形成区域的电源的负极侧相连接的屏蔽层(300)。由此，能够提供一种具有电平移位电路的高耐压半导体装置，该电平移位电路能够在高耐压IC进行开关时或保持长期可靠性的过程中稳定地进行工作。
申请人：富士电机株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：俞丹
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