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专利名称：具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：D·克耐尔,A·胡贝尔,U·兰贝特,F·帕塞克申请号：CN200710128605.9申请日：20070709公开号：CN101139733A公开日：20080312
摘要：本发明涉及具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm至0.1/cm的范围内，并且所述缺陷减少区域总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100％的面积比例，所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。本发明还涉及用于退火单晶半导体晶片内的GOI相关缺陷的方法，该方法用激光器照射所述半导体晶片的至少一个面的确定的区域，其特征在于，所述确定的区域内的各个位置均以1GW/m至10GW/m的功率密度照射至少25ms，所述激光器发射大于组成所述半导体晶片的半导体材料的吸收边沿的波长的辐射，所述半导体晶片的温度通过用所述激光器进行照射而上升了小于20K。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：过晓东
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