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专利名称：相位移光掩模的形成方法专利类型：发明专利
发明人：陈俊郎,涂志强,杨世豪申请号：CN2016110148.4申请日：20161118公开号：CN108073032A公开日：20180525
摘要：本发明实施例提供一种相位移光掩模的形成方法。此方法包括：在透光衬底上依序形成相位移层、遮蔽层、促进层以及掩模层。图案化掩模层，以形成图案化掩模层。以图案化掩模层为掩模，对促进层以及遮蔽层进行蚀刻，以形成图案化促进层以及第一图案化遮蔽层。同时移除图案化掩模层以及图案化促进层。以第一图案化遮蔽层为掩模，对相位移层进行蚀刻，以形成图案化相位移层。选择性移除第一图案化遮蔽层，以形成第二图案化遮蔽层。从而能简化工艺，并同时使其所形成的相位移光掩模具有良好的分辨率。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：TW
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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