隧道结AlGaInP发光二极管

第２３卷第６期　半导体学报　Ｖｏ１．２３，Ｎｏ．６　２００２年６月　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ　Ｊｕｎｅ，２００２　Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＡＩＧａＩｎＰ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ　Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏｎｇ　，Ｓｈｅｎ　Ｇｕａｎｇｄｉ　．Ｇｕｏ　Ｘｉａ　．Ｇａｏ　Ｇｕｏ　．Ｗｅｔ　Ｘｉｎ　，Ｚｈａｎｇ　Ｇｕａｎｇｚｅ。　Ｍａ　Ｘｉａｏｙｕ　．Ｌｉ　Ｙｕｚｈａｎｇ　ａｎｄ　ｔｈｅｎ　Ｌｉａｎｇｈｕｉ。　ｔ、ｊ　ｍｆ　ｏｆ］＊ａｆｏ￣ａｔｉ．ｎ・１３ｅ￣ｉｉｎｇＰｏ６　ｔｅｃｈｎｉｆＵＭ…　ｙ　ａｎｄＢｅａＴｉｎｇＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｍ￣ＴｅｃｈｖｏｌｏｇｙＩｍｂｏｇａｇｏｒ）－．ＢｅＯｉａｇ、０００２２　ｒ　Ｌ￣ｍａ）　（２　ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　…　“ｃ｝　．Ｔｈｅ　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄ￣ｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，１３ｃｏｍｅ　ｌ０００８３．Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ａｒｅ　ｕｓｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅｉｒ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｔｙｐｅ　ｉｓ　ｃｈａｎｇｅｄ　ｔｏ　Ｐ　ｔｙｐｅ　ｂｙ　ｔｕｎｎｅｌ】ｕｎｃｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ＡＩＧａｌｎＰ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ（ＴＪ—Ｉ　ＥＤ），ｔｈｅｎ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｌａｙｅｒ　ｉｓ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．Ｂｅｃａｕｓｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖ　ｉｔｖ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｉｓ　ｌｏｗｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　Ｐ　ｔｙｐｅ—ｔｈｅ　ｅ￣ｆｅｅｔ　ｏｆ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｉｓ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｅｘ—　ｔｒａｃｔｉｏｎ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｉｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．Ｆｏｒ　ＴＪ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈ　３Ｆｍ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒ—　ｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ，ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｃｏｍｐａｒｅｄ　ｗｉｔｈ　ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ｐ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．１ｉｇｈｔ　ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ｉｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｆｏｒ　５０　ａｔ　２０ｍＡ　ａｎｄ　ｆ０ｒ　６６．７％ａｔ　１００ｍＡ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ：Ａ１ＧａｌｎＰ：ｈｉｇｈ　ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ＬＥＤ：ＭＯＣＶＤ　ＰＡＣＣ：４２５５Ｐ；４２６０Ｄ；６８６５：７２３０　ＣＬＣ　ｎｕｍｂｅｒ：ＴＮ３１２　．８　Ｄｏｃｕｍｅｎｔ　ｃｏｄｅ：Ａ　Ａｒｔｉｅｌｅ　ＩＤ｝０２５３　４ｌ７７（２００２）０６　０６２８—０４　ｏｄｅ　ａｎｄ　ｒｅｖｅｒｓｅ　ｂｉａｓｅｄ　ｐｎ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｂｌｏｃｋ—　１　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｏｒ　ｎａｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ　ＡｌＡｓ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｂｌｏｃｋｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　’　．Ｂｕｔ　ｔｈｅｓｅ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ｌｅａｄ　ｔｏ　ｈｉｇｈｅｒ　ＣＯＳｔ　ｏｒ　Ｈｉｇｈ　ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ｖｉｓｉｂｌｅ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｍａｋｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｍｏｒｅ　ｄｉｆｆｉｃｕｌｔ．Ａｎｏｔｈｅｒ　（ＬＥＤｓ）ａｒｅ　ｂｅｃｏｍｉｎｇ　ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ａｎｄ　ｗａｙ　ｉｓ　ｕｓｉｎｇ　ｎ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｏｒ　Ａ１ＧａＡｓ　ａｓ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｈａｖｅ　ｎｕｍｅｒｏｕｓ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ｓｕｃｈ　ａｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｆｉｅｌｄ　ｏｆ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗｉｔｈ　ｐ——ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｕｈｓｔｒａｔｅ　ｂｅ——　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｉｓｐｌａｙ．ｔｒａｆｆｉｃ　ｓｉｇｎａｌ　ａｎｄ　ａｕｔｏｍｏｂｉｌｅ　ｃａｕｓｅ　ｎ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｏｒ　Ａ１ＧａＡｓ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｍｐ　ｃ　。　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ｔｈｅ　ｌａｙｅｒ’ｓ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｉｓ　ｂｅｔｔｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｐ—ｔｙｐｅ．　ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ　Ａ１ＧａｌｎＰ　ａｌｌｏｙｓ，ｗｈｉｃｈ　ｃａｎ　ｂｅ　ｐｒｅｃｉｓｅｌｙ　Ｂｕｔ　Ｐ　ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｈａｓ　ｓｅｖｅｒａ１　ｄｉｓａｄｖａｎ　１ａｔｔ［ｃｅ　ｍａｔｃｈｅｄ　ｔｏ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｈａｖｅ　ａ　ｄｉｒｅｃｔ　ｒａｇｅｓ　１［ｓｔｅｄ　ｂｅｌｏｗ．　ｂａｎｄｇａｐ　ｒａｎｇｅｄ　ｆｒｏｍ　１．８８　ｔｏ　２．３０ｅＶ　．Ｍａｓｓ　ｐｒｏ　（１）Ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅ１　ｏｆ　ｌｏｗ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｉｓ　ｄｕｃｆｉｏｎ　ｏｆ　ＡＩＧａＩｎＰ　ｈｉｇｈ　ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ＬＥＤｓ　ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｖｅｒｙ　ｈｉｇｈ，ｆｏｒ　ｅｘａｍｐｌｅ：１×１０　ｅｍ　．Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａ１　ｒｅａｌｉｚｅｄ　ｂｙ　ｕｓｉｎｇ　ｍｕｌｔｉ——ｗａｆｅｒｓ　ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ—－ｔｈｅｍ—－　ｄｏｐａｎｔ　ｉｓ　Ｚｎ，ｔｈｅｎ　ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　ｏｆ　Ｚｎ　ｄｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｅｐ［　ｉｃａ１　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＭＯＣＶＤ）ｓｙｓｔｅｍ．Ｏｎｅ　ｐｒｏｈ一　ｔａｘｙ　ｗｉｌ１　ｄｅｓｔｒｏｙ　ｔｈｅ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｉｎｔｅｒｆａｃｅ．ｅｓ　１ｅｍ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａ１ＧａＩｎＰ　ＬＥＤｓ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌｉｇｈｔ　ｐｅｅｉａｌｌｙ　ｆｏｒ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｗｅｌ１　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｒｅｄｕｃｉｎｇ　ｉｔ　ｓ　ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｃａｕｓｅｄ　ｂｙ　ｌｉｇｈｔ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｏｆ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ　ｗｉｌｌ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｔｈｅ　ｓｅｒｉａｌ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｏｐ　ａｎｏｄｅ　ｂｅｃａｕｓｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｓ　ｄｅｖｉｃｅ．　ｕｎｄｅｒ　ａｎｏｄｅ．Ｉｖｌａｎｙ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ｗｅｒｅ　ｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄ　ｔｏ　ｒｅ—　（２）Ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ　Ｐ　ｔｙｐｅ　ＯａＡｓ　ｓｕｂ　ｄｕｃｅ　ｔｈｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｊｎｊｅｅｔｉｏｎ　ｕｎｄｅｒ　ａｎｏｄｅ　ｔ　ｓｕｃｈ　ａｓ　ｓｔｒａｔｅ　ｉｓ　ｎｏｔ　ａｓ　ｇｏｏｄ　ａｓ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｔ］ｂｓｔｒａｔｅ．　ｔｈｉｃｋ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ａｎ　（３）Ｐｒｉｃｅ　ｉｓ　ｈｉｇｈｅｒ　ｔｈａｎ　ｎ—ｔｙｐｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．　Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏａｇ　ｍＭｅ　ｓ　ｂｕｒｎ　Ｌｎ　１９６４．ＰｈＤ．Ｈｅ　ｉｓ　ｅｎｇａｇｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｎ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｇｒｏｗｔｈ　ｂｙ　ＭＯＣＶＤ／ｏｒ　Ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ａｎｄ　【ａｓｅｒ　ｄｉｏｄｅｓ　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　２９　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　２００１，ｒｅｖｉｓｅｄ　ｍａａｕｓｃｒｉｐｔ　ｒｅｃｅｉｖｅｄ　９　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　２００１　维普资讯 http://www.cqvip.com

６期　Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏｎｇ　ｅｔ　ａｌ：Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＡＩＧａｌｎＰ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ　６２９　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｔｕｎｎｅｌ　ｉｕｎｃｔｉｏｎｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｗｉｄｅｌｙ　ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ口一ａｎｄ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．Ｔｈｅ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ＬＥＤｓ　ｗｅｒｅ　ａｌｓｏ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｓａｍｅ　ＤＨ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｐ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ，ｂｕｔ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｖｉｃｅｓ－　．Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ａｒｔｉｃｌｅ　ｎ　一ＧａＡｓ／ｐ一　ＧａＡｓ　ｔｕｎ　ｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｗａｓ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ｎ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｔｈｅｎ　Ｐ—ｔｙｐｅ（Ａ１。７Ｇａｃ　３）。５Ｉｎ０　Ｐ　ｃａｎ　ｂｅ　ｕｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｐ　ＧａＡｓ　ｌａｙｅｒ　ｆｏｒ　ｌｏｗｅｒ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｌａｙｅｒ．Ｓｏ　ｔｈｅ　ｏｒｉｇｉｎａｌ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｗｏｒｋｅｄ　ａｓ　Ｐ—　ｔｙｐｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｉｎ　ｓｅｑｕｅｎｃｅ　ｎ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄ　ｉｎｇｌａｙｅｒ　ｃｏｕｌｄ　ｂｅ　ｕｓｅｄ　ｏｎｔｈｅｔｏｐ　ｏｆｔｈｅ　Ｐ——ｉ——ｎ　ｄｏｕ－－　ｔｕｎｎｅ１　ｊｕｎｃｔｉｏｎ．　３　Ｍａｔｅｒｉａｌ　ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　ｄｅｖｉｃｅ　ｆａｂｒｉ—　ｃａｔｉｏｎ　ＡＩＧａＩｎＰ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｗｅｒｅ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ＧａＡｓ　ｓｕｂ　ｂｌｅ　ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ　ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ　ｔｏ　ｅｎｈａｎｃｅ　ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｗａｓ　ｒｅ　ｖｅｒｓｅｌｙ　ｂｉａｓｅｄ　ａｎｄ　ｗｏｒｋｅｄ　ａｓ　ａ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｐ　ｉ　ｎ　ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｔｅｒｏｕ儿１ｃｔｉ０ｎ　ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ　ｗａｓ　ｆｏｒ　ｗａｒｄｌｙ　ｂｉａｓｅｄ．　２　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｄｅｖｉｃｅ　Ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｓａｋｅ　ｏｆ　ｃｏｍｐａｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ　ｂｅ　ｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｎ—ｔｙｐｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ａｎｄ　ｐ－ｔｙｐｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ，ｗｅ　ｕｓｅ　ｓｉｍｐｌｅ　ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｔｅｒ０ｊｕｎｃｔｉｏｎ（ＤＨ）ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ　ａｎｄ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗｉｔｈ　ｓａｍｅ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｆｏｒ　ｂｏｔｈ　ＴＪ—Ｉ　ＥＤ　ａｎｄ　ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ　ＬＥＤ．　Ｔｈｅ　ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｃｒｏｓｓ　ｓｅｃｔｉｏｎａ１　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ＴＪ—　ＬＥＤ　ｉｓ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ．１．Ｔｈｅ　ｅｐｉｌａｙｅｒｓ　ｗｅｒｅ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ＭＯＣＶＤ　ｏｎ　ｎ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｉｎ　ｓｅｑｕｅｎｃｅ　ｔｈｅ　＾＿　Ｇｅ　ｉ　ａｎｏｄｅ　ｎ￣ｇ，ａＰｅｕ￣ｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇｈｙｅｒＯ￣ｍ）　Ⅱ＿ｆＡ　ｃ　ｊＩｎ　ｃｏｒａｉ￣ｒｎｅｍ　ｅ　ｍ＇　——ｉ－ＡＩＧｍｈｔＰａｃｔｉｖｅ　５　Ⅲ）　ｎ＿　Ａｓ　【些‰　　：　一　Ⅱ＿　Ａｓ　ｓｕｂ日ｌｒ｜　／ｍＧｅＮｉ　ｃａｌＩ　Ｆｉｇ．１　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ａｔ　ＧａｌｎＰ　ｌＪＥＤ　ｄｅｖｉｃｅ　ｃｏｎｓｉｓｔｓ　ｏｆ　０．２Ｈｍ　ｎ—ＧａＡｓ　ｂｕｆｆｅｒ　ｌａｙｅｒ，ｎ　ＧａＡｓ（２０ｎｍ）／ｐ　ＧａＡｓ（１　５ｎｍ）ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　ｊｕｎｃ　ｔｉｏｎ，ＤＨ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｗｉｔｈ　１　ｍ　Ｐ一（Ａ１　０　７Ｇａ。３）ｃ＝Ｉｎ¨Ｐ　１ｏｗｅｒ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　１ａｙｅｒ，０．５　ｍ　ｉ（ＡＩ—Ｇａ　）　一　Ｉｎｏ　Ｐ　１ｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ａｎｄ　１　ｍ　ｎ一（ＡＩ。　Ｇａ¨）。　Ｉｎ。、Ｐ　ｕｐｐｅｒ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｌａｙｅｒ，ａｎｄ　３　ｍ　ｎ—ｔｙｐｅ　ｓｔｒａｔｅ　ｗｉｔｈ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ（００１）ｔｏｗａｒｄ（１１１）Ａ　ｏｆｆ　１ｊ。ｂｙ　ＡＸＩＴＲＯＮ　ＡＩＸ　２００　ＭＯＣＶＤ　ｓｙｓｔｅｍ．ＴＭ　Ｇａ，ＴＭＡ１，ａｎｄ　ＴＭＩｎ　ｗｅｒｅ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｇｒｏｕｐⅢｅｌｅ—　ｍｅｎｔｓ　ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ．ＰＨ３　ａｎｄ　ＡｓＨ３　ｗｅｒｅ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｇｒｏｕｐ　Ｖ　ｅｌｅｍｅｎｔｓ　ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ．Ｆｏｒ　Ａ１ＧａＩｎＰ　ｍａｔｅｒｉ　ａｌ　ｇｒｏｗｔｈ，ｔｈｅ　ｒａｔｉｏ　ｏｆ　Ｖ／Ⅲｗａｓ　１００．ＤＥＺｎ　ａｎｄ　ＳｉＨｄ　ｗｅｒｅ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｄｏｐａｎｔｓ　ｓｏｕｒｃｅｓ　ｆｏｒ　ｐ－ｔｙｐｅ　ａｎｄ　ｎ　ｔｙｐｅ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｏｆ　ｅｐｉｌａｙｅｒ　ｗａｓ　７０Ｏ～７５０℃．Ｔｈｅ　ｔｏｔａｌ　ｆｌｏｗ　ｒａｔｅ　ｏｆ　ｈｙ　ｄｒｏｇｅｎ　ｗａｓ　７　Ｌ／ｒａｉｎ．　Ｆｏｒ　ＧａＡｓ　ｔｕｎｎｅ１　ｉｕｎｃｔｉｏｎ，Ｓｉ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｔｈｅ　ｎ　ｔｙｐｅ　ｄｏｐａｎｔ　ｗｉｔｈ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ　ｒｅａｃｈｉｎｇ　５×ｌ０　ｃｍ。，ａｎｄ　Ｃ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｐ－ｔｙｐｅ　ｄｏｐａｎｔ　ｗｉｔｈ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ　ｏｆ　１×１０ａ０ｃｍ。．ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒｓ　ｗｅｒｅ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｓｉ．Ｔｈｅ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ　ｒｅａｃｈｅｄ　２×１　０　ｃｍ。．ｐ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒｓ　ｗｅｒｅ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｚｎ．Ｔｈｅ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ　ｒｅａｃｈｅｄ　４×ｌ０　ｃｍ。．Ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｌｔｉｅｓ　ｏｆ　ＧａＰ　ｃｕｒ　ｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　１ａｙｅｒｓ　ｗｅｒｅ　０．０２０・ｃｍ　ａｎｄ　０．０５　０・ｃｍ　ｆｏｒ　ｎ—ｔｙｐｅ　ａｎｄ　ｐ－ｔｙｐｅ　ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ（Ｈａｌｌ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ）．　Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｐ－ｔｙｐｅ　ｃｏｎｔａｃｔｓ．　￣１００，ｕｍ　ｒｏｕｎｄ　ｔｏｐ　ａｎｏｄｅ　ｗａｓ　ｆｏｒｍｅｄ　ｂｙ　ｌｉｔｈｏｇｒａ　ｐｈｙ．ＡｕＧｅＮｉ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ａｓ　ｎ—ｔｙｐｅ　ｃｏｎｔａｃｔｓ．Ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ　ｗａｓ　ｓａｗｎ　ｔｏ　ｓｑｕａｒｅ　ｄｉｃｅｓ　ｏｆ　３００￣ｍ×３００￣ｍ　ｂｏｕｎｄｅｄ　ｏｎ　ｃｏｐｐｅｒ　ｈｅａｔ　ｓｉｎｋｓ　ｆｏｒ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ．　４　Ｄｅｖｉｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ　Ｌｉｇｈｔ　ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｗｏ　ｋｉｎｄｓ　ｏｆ　ＬＥＤ　ｗｅｒｅ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｂｙ　ＨＴ　ｓｅｍｉ—　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｌａｓｅｒ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ，ｗｈｉｃｈ　ｗａｓ　ｃａｌｉｂｒａｔｅｄ　ａｔ　ｔｈｅ　ｖｉｓｉｂｌｅ　ｌｉｇｈｔ　ｒｅｇｉｏｎ．Ｆｉｇｕｒｅ　２　ｓｈｏｗｓ　ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｆ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ．Ｔｈｅ　ｏｕｔｐｕｔ　维普资讯 http://www.cqvip.com

６３０　半导体学报　２３卷　ｌｉｇｈｔ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ＴＪ—ＬＥＤ　ｒｅａｃｈｅｄ　０．４２ｍＷ　ａｔ　２０ｍＡ，　ｗｈｉｃｈ　ｉｓ　Ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｆｏｒ　５０　ｍｏｒｅ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ＬＥＤ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｏｆ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ｐ－ｔｙｐｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗｉｌｌ　ｃｒｏｗｄ　ｕｎｄｅｒ　ｔｈｅ　ｔｏｐ　ａｎｏｄｅ，ｔｈｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｃｕｒ—　ｒｅｎｔ　ｗｉｌｌ　ｃｒｅａｔｅ　ｍｏｒｅ　ｈｅａｔ，ａｎｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｃｒｏｗｄｉｎｇ　ｕｎｄｅｒ　ａｎｏｄｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｒｅｇｉｏｎ　ｃａｒ—　ｒｌｅｒ　ｍｊ’ｅｃｔｌｏｎ　ｌｅｖｅｌ　ｗｈｉｃｈ　ｗｉｌｌ　ｃａｕｓｅ　ｍｏｒｅ　ｃａｒｒｉｅｒｓ　ｌｅａｋ　ｆｒｏｍ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｔｏ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｌａｙ—　ｒ．　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｔｕｎｎｅｌ　ｕｎｃｔｉｏｎ．Ａｎｄ　ａｔ　１００ｍＡ　ｔｈｅ　ＯＵｔｐｕｔ　ｌｉｇｈｔ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ＴＪ—Ｉ　ＥＤ　ｒｅａｃｈｅｄ　２－０ｒｏｗ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｆｏｒ　６６．７　．Ｉｔ　ｃａｎ　ｂｅ　ｓｅｅｎ　ｆｒｏｍ　Ｆｉｇ．２　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｄｅ—　ｖｉｃｅ　ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｗｉｔｈ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　唱Ｉｄ　吣　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗａｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ．Ｂｅｃａｕｓｅ　ｔｈｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　０　１　一／　，　，　０　，　，　ｒ　／　，　／　ｒ　／　，　，　唔ｌｄ　，　／　ｌｉｍａ　吣　０　．，。　，　ｌｔｍＡ　Ｆｉｇ．２　Ｏｕｔｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｖｅｒｓｕｓ　ｉｎｊｅｒｔｉｏｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＡＩＧａｌｎＰ　６２０ｎｍ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈｏｕｔ（ａ）ａｎｄ　ｗｉｔｈ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ（ｂ）　Ｆｉｇｕｒｅ　２　ａｌｓｏ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｖｏｌｔａｇｅ　ＴＪ　Ｉ　ＥＤｓ　ｗｉｔｈ　３Ⅲｎ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ，ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　Ｏｕｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＴＪ—ＬＥＤ　ｉｓ　ｓｌｉｇｈｔｌｙ　ｈｉｇｈｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ａｔ　ｔｈｅ　ｓａｍｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｃｕｒ—　ｒｅｎｔ．Ｔｈｉｓ　ｉｓ　ｃａｕｓｅｄ　ｂｙ　ｔｗｏ　ｆａｃｔｏｒｓ，ｔｈｅ　ｔｕｎｎｅｌ；ｕｎｃ—　ｔｉｏｎ　ｒｅｖｅｒｓｅ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ，ａｎｄ　ｔｈｅ　ｎ　ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ　ｗａｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｆｏｒ　５０　ａｔ　２０ｍＡ　ａｎｄ　ｆｏｒ　６６．７　ａｔ　１００ｍＡ　ｏｆ　ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ　ＬＥＤ　ｗｉｔｈ　ｐ－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．　ｏｈｍｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ．Ｂｅｃａｕｓｅ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｓｉ　ｃａｎ　ｎｏｔ　ｒｅａｃｈ　ｖｅｒｙ　ｈｉｇｈ　ｄｏｐｉｎｇ　ｌｅｖｅｌ，　ｔｈｅ　ｔｏｐ　ｎ—ｔｙｐｅ　ｏｈｍｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｉｓ　ｌａｒｇｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｈｅａｖｉｌｙ　ｄｏｐｅｄ　Ｐ—－ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｏｈｍｉｃ　ｃｏｎ——　［１］Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏｎｇ，Ｍａ　Ｘｉａｏｙｕ．Ｃａｏ　Ｑｉｎｇ，ｅｔ　ａ１．ＡＩＧａｌｎＰ　ｈｉｇｈ　ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ｏｒａｎｇｅ　１　ｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｄ　ｂｙ　ＬＰ　Ｒｅｆｅｒｅｎｅｅｓ　ｔｓｃｔ．Ｂｕｔ　ｔｈｅ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　ＴＪ—Ｉ　ＥＤ　ｉｓ　ａｒｏｕｎｄ　２．４Ｖ　ａｔ　２０ｍＡ．Ｔｈｉｓ　ｉｓ　ａｃｃｅｐｔａｂｌｅ　ｆｏｒ　ｐｒａｃ—　ｔｉｃａｌ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．　Ｍ０ＣＶＤ　Ｃｈｉａ￣ｅ　ＩｏｕｒｎａＩ　ｏｆ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｅｔｏｒｓ．１９９８，１９：７１２　（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）［王国宏，马骁宇．曹青，等．ＬＰ—ＭＯＣＶＤ制备　ＡｉＧａｌｎＰ高亮度橙黄色发光二极替．半导体学报，１９９８．１９：　７１ｚ］　５　Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ　Ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＡＩＧａｌｎＰ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　（ＴＪ　ＬＥＤ）ｗｉｔｈ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ａｎｄ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗｅｒｅ　ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ　ｆａｂ—　ｒｉｃａｔｅｄ．Ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ　ｗａｓ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｗａｓ　ｉｎ—　ｃｒｅａｓｅｄ　ｂｙ　ｎ—ｔｙｐｅ　ＧａＰ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｌａｙｅｒ．Ｆｏｒ　［２］　Ｉ　ｕ　Ｄａｃｈｅｎｇ，Ｈａｎ　Ｐｅｉｄｅ，Ｌｉｕ　Ｘｉａｎｇｌ［ｎ，ｅｔ　ａ１．ＧａＩｎＮ／ＡＩＧａＮ　ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｒｅｔｏｊｕｎｃｔｌｏｎ　ｇｒｉｎ　ｔｌｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｅｄｅ￣．Ｃｈｈ￣ｓｅ　ｏｆ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，２０００，２１：４１４［陆大成．韩堵德．刘样林．等．　ＧａｌｎＮ／ＡＩＧａＮ腰异质结绿光发光二搔管．半导体学报，　２０００，２１：４１４］　［３］Ｃｈｉ　Ｇ　Ｃ．Ｓｕ　Ｙ　Ｋ，Ｊｏｕ　Ｍ　Ｊ．ｅｔ　ａ１．Ｗｉｎｄｏｗ　ｌａｙｅｒ　ｆｏｒ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅ＊ｄｉｎｇ　ｉｎ　ＩｎＧａＡ１Ｐ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｋｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ．Ｊ　Ａｐｐ［Ｐｈｙｓ，　１９９４，７６（５）：１　［４　Ｌｉａ　Ｊ　Ｆ，ＷｕＭ　Ｃ，】０ｕＭ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈｌｙ　ｒｅｌｉａｂｌｅ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　维普资讯 http://www.cqvip.com

６期　Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏｎｇ　ａ１．｝Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ａ１ＧａＩｎＰ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ　６３１　［ｎｄｉｏｎ２　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ＡＩＧａＩｎＰ　ｏｒａｎｇｅ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｇｎ　ｄｉｏｄｅｓ　Ｅｌｅｅ一　［７：　Ｅｓａｋｉ　Ｉ．Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｕｎｎｄ　ｄｉｏｄｅ　ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ　Ｅｌ…ｔ　Ｄｎ　ｔｒｏｎ　Ｌｅｔｔ．１０９４，３０（２１）：１７９３　Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｌ９７６，ＥＤ　２３　６６４　［９］　Ｓｕｇａｗａｒａ　Ｈ，ｈａｙａ　Ｋｔ　Ｈａｔａｋｏｓｈｉ　Ｇ．Ｈｙｂｒｉｄ　ｔｙｐｅ　ＩｎＧａＡＩＰ／　［８］　Ｃｈｕｎｇ　Ｂ　Ｃ．Ｖｉｒｓｈｕｐ　Ｇ　Ｆ，Ｋｌａｕｓｍｅｉｅｒ　Ｂｒｏ　Ｍ　ｅｔ　Ｉ＿２５　２　ＧａＡｓ　ｄｉｓ￣ｉｂｕｔｅｄ　ｂｒａｇｇ　ｒｅ［１ｅｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ＩｎＧａＡＩＰ　ｉｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ＜１…　ｒ　ｍａｓ３　０）ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ　ｄｉｏｄｅｓ　Ｊｐｎ』Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９９４，３３：６１　９５　ｔｈｒｅｅ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｗｅ￣ｔｅｒｍｉｎａ［ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌ　ＡｐｐＩ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９２，　［５］Ｈｕａｎｇ　Ｋ　Ｈ，Ｙｕ　Ｊ　Ｇ．Ｙｕ』Ｇ，ｅｔ　ａＩ．Ｔｗｏｆｏｌｄ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｉｍ　６０（１４）　１６０１　ｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｉｎ　ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ＡＩＧａｌｎＰ［ｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　：０］　Ｇｕｏ　Ｘｉａ，Ｓｈｅｎ　Ｇｕａｎｇｄｉ，Ｗａｎｇ　Ｇｕｏｈｏｎｇ，ｅｔ　ａｉ．Ｔｕｎｎｅｌ　ｒｅｇｅｎ—　ｄｉｏｄｅｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｊ６５～６９０ｎｍ　ｓｐｅｔｒａｉ　ｒｅｇｉｏｎ　ＵＳｉｎｇ　ｔｈｉｃｋ　ＧａＰ　ｅｒａｔｅｄ　ｍｕｈｉｐｉｅ　ａｃｔｉｖｅ—ｒｅｇｉｏｎ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｗｉｎｄｏｗ　ｌａｙｅｒ．Ａｐｐｉ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔｔ１９９２，６１ｆ９）：３１　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ［Ａｔｔ，２００１，７９ｆ１８）：２９８６　隧道结ＡＩＧａｌｎＰ发光二极管　王国宏。　沈光地　郭　霞　高　国　韦　欣　张广泽　马骁宇　李玉璋　陈良惠　（１北京工业大学信息学院北京市光电子技术实验室，北京　１０００２２）　（２中国科学院半导体研究所，北京１０００８３）　摘要：报道了通过隧道结将衬底的导电类型从ｎ型转变到Ｐ型，从而可以利用ｎ型ＧａＰ作为以ｎ型ＧａＡｓ为衬底　的Ａ１ＧａＩｎＰ发光二极管的电流扩展层．ｎ型电流扩展层的电阻率低于Ｐ型电流扩展层的电阻率，这种结构改善了　电流扩展层的作用，从而提高了发光二极昔的光提取效率．对３ｆｉｅｒＧａＰ电流扩展层的发光二极昔，实验结果表明，　隧道结发光二极昔的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极昔相比，２０ｍＡ时发光功率提高了５Ｏ　，　１００ｍＡ时提高了６６．７　．　美键词：隧道结；ＡＩＧａＩｎＰＩ高亮度发光二极管　Ｍ０ＣＶＤ　ＰＡＣＣ｝４２５５Ｐ｛４２６０Ｄ｛６８６５；７２３０　中圈分类号：ＴＮ３１　２　．８　文献标识码：Ａ　文章编号：０２５３　４１　７７（２００２）０６　０６２８　０４　王目宏男，１９６４年出生，博士，主要从事半导体发光二极管和激光器材料的ＭＯＣｋｅＤ生长技术的研究．　鲫０１　０９　２０收到，２００１　１１　０９定稿　＠２００２中国电子学会