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专利名称：双向MOSFET开关和多路复用器专利类型：发明专利
发明人：鲁迪·汉格,克里斯汀·罗特伊申请号：CN201610402809.6申请日：20160608公开号：CN106253888A公开日：20161221
摘要：本发明提供一种改进的双向MOSFET开关和多路复用器。本发明的双向MOSFET开关包括一个输入端和输出端和两个MOSFET晶体管，晶体管与源极和栅极分别彼此连接，同时输入端和输出端分别连接两个MOSFET晶体管的漏极，一具有电绝缘装置的电绝缘控制输入端与一控制器连接，控制器通过第三个MOSFET晶体管接通一FET晶体管，一与输入端连接的浮动电源通过所述第三个MOSFET晶体管向FET晶体管提供控制电流，FET晶体管通过控制电流在栅极和两个MOSFET晶体管的源极之间产生相同的栅源电压，浮动电源产生两个MOSFET‑晶体管的栅极的控制电流。对交流电压信号来说，电路拓扑结构所需的控制电流较小。
申请人：威泰克公司
地址：德国威尔特海姆/蒙菲得安吉斯弗莱斯街9号
国籍：DE
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：段晓玲
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